產品特色
雷射平均功率：100W
脈衝重複率：25kHz 或 70kHz（最大）
可收集 EUV 功率的立體角度：0.05sr
電漿尺寸* µm：≤ 60 或 ≤ 40
帶寬內 (13.5 nm±1%) 輻射轉換效率：2 % @2π·sr 或 1.6% @2π·sr
去除碎片後收集角度內的EUV通量 (帶寬內13.5nm±1%)：11 mW或 9 mW
去除碎片後帶寬內光譜亮度（13.5nm±1%），W/mm2·sr：≥80W/mm2·sr或≥140 W/mm2·sr
電漿穩定性**：3%有效值
脈衝重複率：25kHz 或 70kHz（最大）
可收集 EUV 功率的立體角度：0.05sr
電漿尺寸* µm：≤ 60 或 ≤ 40
帶寬內 (13.5 nm±1%) 輻射轉換效率：2 % @2π·sr 或 1.6% @2π·sr
去除碎片後收集角度內的EUV通量 (帶寬內13.5nm±1%)：11 mW或 9 mW
去除碎片後帶寬內光譜亮度（13.5nm±1%），W/mm2·sr：≥80W/mm2·sr或≥140 W/mm2·sr
電漿穩定性**：3%有效值
規格說明
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MODEL |
TEUS S-100 |
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MAIN SPECIFICATIONS |
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Laser average power |
100W |
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Pulse repetition rate |
25kHz or 70kHz (Maximum) |
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Solid angle of collectable EUV Power |
0.05sr |
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Plasma size* µm |
≤ 60 or ≤ 40 |
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Conversion efficiency in-band (13,5 nm±1%) radiation |
2 % @2π·sr or 1.6% @2π·sr |
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ЕUV flux inside collection angle after debris mitigation system in-band
(13.5nm±1%) |
11 mW or 9 mW |
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Spectral brightness after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%),
W/mm2·sr |
≥ 80W/mm2·sr or ≥ 140 W/mm2·sr |
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Plasma stability** |
3% RMS |
