首頁 / 產品介紹
EUV LIGHT SOURCE,極紫外光源,阜拓科技
提供極紫外光源的詳細產品服務資訊，包括型號、名稱、敘述和規格。我們秉持著精益求精及高品質保證，提供一系列實用且價格合理的極紫外光源產品，並以多年的豐富經驗及技術獲得國內外客戶讚許及肯定，若您有任何採購TEUS S-200 EUV LIGHT SOURCE, 極紫外光源, EUV LIGHT SOURCE, 阜拓科技需求，歡迎與我們聯絡。
TEUS S-200 EUV LIGHT SOURCE
極紫外光源
高負載循環且為一站式的系統方案，使用者友善並搭載自動通訊協定，確保系統平穩運行，無風險、不中斷。
• 高亮度 (即高輸出)，同時具有卓越的穩定性
• 極少殘留物
• 極高的運作時間
◆ 應用領域 - 光罩表面檢查：
圖形光罩檢測 (PMI)
區域光罩檢測 (AIMS)
光罩基板檢測 (MBI)
EUV 掃描儀偵測中的 EUV 光學鏈
材料科學
晶圓檢查
• 高亮度 (即高輸出)，同時具有卓越的穩定性
• 極少殘留物
• 極高的運作時間
◆ 應用領域 - 光罩表面檢查：
圖形光罩檢測 (PMI)
區域光罩檢測 (AIMS)
光罩基板檢測 (MBI)
EUV 掃描儀偵測中的 EUV 光學鏈
材料科學
晶圓檢查
產品特色 :
雷射平均功率：200W
脈衝重複率：50kHz或135kHz（可調）
可收集 EUV 功率的立體角度：0.05sr
電漿尺寸* µm：≤ 60 或 ≤ 40
帶寬內 (13.5 nm±1%) 輻射轉換效率：2 % @2π·sr 或 1.6% @2π·sr
去除碎片後收集角度內的EUV通量 (帶寬內13.5nm±1%)：22 mW或 18 mW
去除碎片後帶寬內光譜亮度（13.5nm±1%），W/mm2·sr：≥160W/mm2·sr或≥280W/mm2·sr
電漿穩定性**：3%有效值
規格說明 :
|
MODEL |
TEUS S-200 |
|
MAIN SPECIFICATIONS |
|
|
Laser average power |
200W |
|
Pulse repetition rate |
50kHz or 135kHz (Adjustable) |
|
Solid angle of collectable EUV Power |
0.05sr |
|
Plasma size* µm |
≤ 60 or ≤ 40 |
|
Conversion efficiency in-band (13,5 nm±1%) radiation |
2 % @2π·sr or 1.6% @2π·sr |
|
ЕUV flux inside collection angle after debris mitigation system in-band
(13.5nm±1%) |
22 mW or 18 mW |
|
Spectral brightness after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%),
W/mm2·sr |
≥ 160W/mm2·sr or ≥ 280 W/mm2·sr |
|
Plasma stability** |
3% RMS |
阜拓科技股份有限公司以顧客滿意服務為宗旨，提供專業的極紫外光源諮詢與服務。歡迎您透過上述表單將極紫外光源的洽詢需求傳送給我們，我們會儘快與您聯絡。若您對於其他TEUS S-200 EUV LIGHT SOURCE, 極紫外光源, EUV LIGHT SOURCE, 阜拓科技產品服務有任何採購需求，亦可來信或來電洽詢，我們會提供最優質服務並且立即解決您的問題。