隨著碳化矽（SiC）在電動車、電力電子與潔淨能源領域快速崛起，如何精準又高效地加工這種高硬度材料成為業界關注焦點。MKS Spectra-Physics 最新 Application Note 74 深入比較 UV 奈秒雷射 與 IR 飛秒雷射 在 SiC 蝕刻的表現，揭示最佳效率、去除率與表面品質的關鍵差異。

※不同雷射加工下的 SiC 表面品質比較

飛秒雷射（右側）展現更平滑、低熱損的加工效果

📌 文章亮點：

• UV 奈秒雷射：高性價比，適合一般加工需求。
• IR 飛秒雷射：burst 模式效率突破，達到最高 0.28 mm³/min/W，品質極佳。
• 脈衝串列 (burst) 技術：靈活調整效率與熱影響，打造最佳化加工方案。

這份研究為 半導體製造、先進封裝、電力器件加工 提供了清晰的選擇指南，幫助工程師在效率、品質與成本之間找到最佳平衡。

MKS Spectra-Physics 不同雷射效能比較

表格解讀與應用重點

• 不同雷射在「去除效率」與「最大去除速率」之間各有優勢：
• UV 奈秒雷射：具成本效益，適合一般加工需求。
• IR 飛秒雷射：特別是 burst 模式，能兼顧高效率與高品質，適合要求嚴格的精密應用。
• 整體來看，這些數據可作為工程師在 效率、品質與成本 之間做出平衡選擇的依據。

⬇️ Application Note 74 完整報告⬇️