隨著半導體製程對精度與結構尺寸的要求日益嚴苛，極紫外光 (EUV) 技術已成為次世代微影與材料分析的重要工具。
來自荷蘭的 ISTEQ 公司，憑藉其在雷射電漿 (Laser Produced Plasma, LPP) 技術方面的經驗，推出了高穩定性、高亮度的 13.5 nm EUV 光源平台：TEUS 系列。
此系列光源不僅能應用於 EUV 光罩檢測，更因其優異的穩定性與極高的運作時間，在多項高精密應用中展現了潛力。

一、技術優勢與應用情境

TEUS 系列具備多項技術特點，使其能夠在不同應用場景中發揮作用，以下整理 ISTEQ TEUS 的關鍵特性及其應用情境：

技術優勢	實際應用情境
高亮度輸出	有助於對高吸收材料 (如 EUV光罩) 進行更有效率的測試， 縮短所需的曝光或檢測時間。
極低碎屑技術	採用專利的高頻率旋轉錫靶技術，實現極低碎屑產生， 有效降低光學元件污染風險，進而延長 EUV 光學系統壽命並維持長期檢測穩定性。
極高運作時間	確保光源系統可以長時間穩定運行， 特別適用於需要連續照明或曝光的工業應用環境。
一站式操作與 自動化協議	提供使用者友善的介面，透過自動化協議簡化操作， 有利於在嚴苛的環境中 (如無塵室) 進行標準化流程。

二、高頻率錫旋轉靶的優勢與功能

ISTEQ 的 TEUS 系列 EUV 光源平台在特定應用中採用了專利的高頻率錫旋轉靶技術，該技術在多方面展現出顯著的優勢：

🔹碎屑控制：
旋轉靶設計是實現絕對最低碎屑的關鍵技術之一，減少光學元件污染，延長系統壽命。

🔹支援高重複頻率操作：
旋轉靶提供連續的靶面，讓雷射能夠以高重複頻率照射不同的靶點 ，這對於提高光源的平均功率和亮度至關重要。TEUS 系列的雷射重複頻率最高可達 200 kHz (S-400 型號)。

🔹連續靶面供應：
旋轉靶提供了不間斷的靶材供應，支持光源的連續穩定運行。

🔹熱管理輔助：
旋轉靶有助於熱管理，有效散熱、維持靶面穩定，確保長時間穩定運作。

這些特點使得 TEUS 系列在高精度應用中展現出卓越的性能與可靠性。

三、ISTEQ 在 2024 EUV Source Workshop 所發表的技術

在 2024 年舉辦於荷蘭的EUV Source Workshop 中，ISTEQ 發表了多項技術成果。其中，摘要 S91 提及其在 EUV 光源開發方面的技術進展，並特別指出處理強烈碎屑挑戰時，採用快速旋轉液態金屬靶為有效解法。
此摘要也強調，該技術已成功應用於 TEUS 光源中，並獲得高度關注，顯示其技術成熟度與產業認可度。

• 2024 EUV Source Workshop 摘要 - 點這裡查看PDF檔

四、應用領域：

TEUS 系列 EUV 光源平台支援多種關鍵應用，包括：

• Patterned Mask (圖形化光罩) 與 Blank Mask (光罩基板) 的缺陷檢測
• EUV 掃描機中的 EUV 光學鏈 (optics chain) 檢測
• 材料科學研究
• 晶圓檢測

這些應用對於當前和未來的先進半導體製程節點至關重要，而TEUS 所具備的高穩定性，正是支撐這些應用順利進行的關鍵光源條件。

五、TEUS 系列規格

MODEL	TEUS S-100	TEUS S-200	TEUS S-400
MAIN SPECIFICATIONS
Laser average power	100W	200W​	400W
Pulse repetition rate	25kHz or 70kHz (Maximum)	50kHz or 135kHz (Adjustable)	100kHz or 200kHz (Adjustable)
Solid angle of collectable EUV Power	0.05sr	0.05sr	0.05sr
Plasma size* µm	≤ 60 or ≤ 40	≤ 60 or ≤ 40	≤ 60 or ≤ 45
Conversion efficiency in-band (13,5 nm±1%) radiation	2 % @2π·sr​ or 1.6% @2π·sr​	2 % @2π·sr​ or 1.6% @2π·sr​	2 % @2π·sr​ or 1.8% @2π·sr​
EUV flux inside collection angle after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%)​	11 mW​ or 9 mW​	22 mW​ or 18 mW​	44 mW​ or 40 mW​
Spectral brightness after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%), W/mm2·sr	≥ 80​W/mm2·sr​ or ≥ 140 W/mm2·sr​​	≥ 160​W/mm2·sr​ or ≥ 280 W/mm2·sr​​	≥ 310​W/mm2·sr​ or ≥ 500 W/mm2·sr​​
Plasma stability**	3% RMS	3% RMS	3% RMS

 

 🚀 支援您的先進製程與研究需求

想掌握更高效的 EUV 微影與檢測流程？現在就深入了解 ISTEQ TEUS 光源平台，啟動您的製程升級計畫！
  ⏬ 立即查看 ⏬

 

---

◆ 想知道我們的最新消息以及新產品快訊嗎？在下方輸入姓名和E-mail，即可訂閱我們的電子報！


◆ 我想知道更多：
📱官方Line帳號： 點我前往
👍🏻官方FB帳號： 點我前往
🆕新品看這裡： 點我前往
🎉 阜拓最新活動即時掌握： 點我前往
📢 我們樂於聽取您的建議，歡迎回饋！ 點我前往