TEUS S-400 EUV LIGHT SOURCE

極紫外光源

產品說明

高負載循環且為一站式的系統方案，使用者友善並搭載自動通訊協定，確保系統平穩運行，無風險、不中斷。

• 高亮度 (即高輸出)，同時具有卓越的穩定性
• 極少殘留物
• 極高的運作時間

◆ 應用領域 - 光罩表面檢查：
圖形光罩檢測 (PMI)
區域光罩檢測 (AIMS)
光罩基板檢測 (MBI)
EUV 掃描儀偵測中的 EUV 光學鏈
材料科學
晶圓檢查

原廠連結

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產品特色

雷射平均功率：400W
脈衝重複率：100kHz或200kHz（可調）
可收集 EUV 功率的立體角度：0.05sr
電漿尺寸* µm：≤ 60 或 ≤ 45
帶寬內 (13.5 nm±1%) 輻射轉換效率：2 % @2π·sr 或 1.8% @2π·sr
去除碎片後收集角度內的EUV通量 (帶寬內13.5nm±1%)：44 mW或 40 mW
去除碎片後帶寬內光譜亮度（13.5nm±1%），W/mm2·sr：≥310W/mm2·sr或≥500W/mm2·sr
電漿穩定性**：3%有效值

規格說明

MODEL	TEUS S-400
MAIN SPECIFICATIONS
Laser average power	400W
Pulse repetition rate	100kHz or 200kHz (Adjustable)
Solid angle of collectable EUV Power	0.05sr
Plasma size* µm	≤ 60 or ≤ 45
Conversion efficiency in-band (13,5 nm±1%) radiation	2 % @2π·sr or 1.8% @2π·sr
ЕUV flux inside collection angle after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%)	44 mW or 40 mW
Spectral brightness after debris mitigation system in-band (13.5nm±1%), W/mm2·sr	≥ 310W/mm2·sr or ≥ 500 W/mm2·sr
Plasma stability**	3% RMS